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Relaxation Mechanisms of 2D-Electrons in Selectively Doped n-AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructure with the Filling of Two Subbands /
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| No. | 권호·제본정보 보기 | 소장처 | 소장사항 | 청구기호 | 구독 | 최근입수호 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ | 530.41 P578a | ||||
| 2 | 중앙도서관/3층 연속간행물실/ | 530.41 P578a | 수증 | 2001 no.11/12 |
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