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Formation of polycrystalline silicon germanium/HfO~2 gate stack structure using inductively coupled plasma etching/

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자료유형학술지논문
논문명Formation of polycrystalline silicon germanium/HfO~2 gate stack structure using inductively coupled plasma etching/
저자명Chen, J.
학술지명Journal of vacuum science & technology.
발행년도2003
권호사항Vol.21 No.4
발행처Published for the Society by the American Institute of Physics
페이지1210-1217p.
언어eng

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No. 권호·제본정보 보기 소장처 소장사항 청구기호 구독 최근입수호
1 중앙도서관/3층 연속간행물실/ 621.5505 J86A 구독중단 v.30 no.6

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