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Fully relaxed \hbox{Si}{0.7}\hbox{Ge}{0.3} buffers grown on patterned silicon substrates for hetero-CMOS transistors/ / Kasper, E; Klose, M; Ernst, F W�hl, G Kibbel, H; Hackbarth, T; / Chapman and Hall / Journal of materials science Materials i / p.235-240 / 2001
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