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제한항목: 기사; Hegde, R. I; 1980; 1980; 1980; Electrochemical Society; Electrochemical Society

검색간략리스트

1.

서명: Surface and Interface Roughness of Ultrathin Nitric Oxide Oxynitride Gate Dielectric
저자: Hegde, R. I
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

2.

서명: Growth and Film Characteristics of and NO Oxynitride Gate and Tunnel Dielectrics
저자: Hegde, R. I
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

3.

서명: Thin Film Properties of Tungsten Nucleation Layer in Blanket Tungsten Deposition
저자: Hegde, R. I
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

4.

서명: A Low Temperature Collimated Titanium Deposition Process
저자: Hegde, R. I
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

1

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