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제한항목: Itsumi, M

검색간략리스트

1.

서명: Characterization of metallic impurities in Si using a recombination-lifetime correlation method
저자: Itsumi, M
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

2.

서명: Copper Decoration Followed by TEM Observation Identifying Defects in theBuried Oxides of SOI Substrates
저자: Itsumi, M
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

3.

서명: Current increase in thin gate-oxide (3.5-7.0 nm) metal-oxide silicon structures with the boron-doped polycrystalline-silicon gates biased negatively
저자: Itsumi, M
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

4.

서명: Generation of Si-SiO~2 Interface States at Surface Potentials near 0.4 and 0.7 eV
저자: Itsumi, M
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

5.

서명: Impurity dependence of oxide defects in Czochralski silicon
저자: Itsumi, M
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

6.

서명: Observation of Defects in Thermal Oxides of Polysilicon by Transmission Electron Microscopy Using Copper Decoration
저자: Itsumi, M
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

7.

서명: On-Chip Decoupling Capacitance with High Dielectric Constant and Strength Using SrTiO~3 Thin Films Electron-Cyclotron-Resonance-Sputtered at 400�
저자: Itsumi, M
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

8.

서명: Passivation of Sodium Ions in Metal Oxide Semiconductor Structures by Annealing with Ultraviolet Light
저자: Itsumi, M
발행처: Electrochemical Society
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

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