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제한항목: Kadushkin, V.I; VSV Co. Ltd

검색간략리스트

1.

서명: Anisotropy and Anomalies of Low-Temperature 2D-Electron Transport in δ-(Si,Sn) Doped Nanostructures Grown on i-GaAs Vicinal Plane /
저자: Kadushkin, V.I
발행처: VSV Co. Ltd
원문제공시작년: 1998
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

2.

서명: Intersubband Relaxation of 2D Electrons in A1GaAs(Si)/GaAs Heavily Doped Heterojunction /
저자: Kadushkin, V.I
발행처: VSV Co. Ltd
원문제공시작년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

3.

서명: Relaxation Mechanisms of 2D-Electrons in Selectively doped n-AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructure /
저자: Kadushkin, V.I
발행처: VSV Co. Ltd
원문제공시작년: 1996
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

4.

서명: Relaxation Mechanisms of 2D-Electrons in Selectively Doped n-AlxGa1-xAs/GaAs Heterostructure with the Filling of Two Subbands /
저자: Kadushkin, V.I
발행처: VSV Co. Ltd
원문제공시작년: 1999
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

1

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