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1.
서명
Arsenic incorporation during Si(001):As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: Effects on film-growth kinetics/ 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
2.
서명
Effect of film thickness on the properties of indium tin oxide thin films/ 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
3.
서명
Effects of B doping on hydrogen desorption from Si(001) during gas-source molecular-beam epitaxy from Si~2H~6 and B~2H~6 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
4.
서명
Effects of H coverage on Ge segregation during Si~1~-~xGe~x gas-source molecular beam epitaxy 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
5.
서명
Monte Carlo simulation study of recombination dynamics in solution 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
6.
서명
Nanocrystalline NdFeB magnets fabricated by a modified hot-working process/ 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
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원문제공마감년
7.
서명
Si(001):B gas-source molecular-beam epitaxy: Boron surface segregation and its effect on film growth kinetics 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
8.
서명
Temperature-modulated Si(001):As gas-source molecular beam epitaxy: Growth kinetics and As incorporation/ 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
9.
서명
Ultra-highly doped Si1-xGex(001):B gas-source molecular-beam epitaxy: Boron surface segregation and its effect on film growth kinetics/ 미리보기
저자
Kim, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
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