충남대학교외국학술지지원센터

글로벌메뉴

  • HOME
  • sitemap

주메뉴

CNU Search

전체 ㅣ A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z ㅣ 가 나 다 라 마 바 사 아 자 차 카 타 파 하 기타
검색 타입
상세검색
검색어[가나다ABC : 전체]
총 10건 중 10건 출력
1/1 페이지 엑셀파일 출력
제한항목
Nakamura, S 삭제
American Institute of Physics 삭제
검색결과제한

검색간략리스트

열거형 테이블형
1.
서명
Characteristics of InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
2.
서명
InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with modulation-doped strained-layer superlattices grown on an epitaxially laterally overgrown GaN substrate 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
3.
서명
InGaN multi-quantum-well structure laser diodes grown on MgAl~2O~4 substrates 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
4.
서명
Longitudinal mode spectra and ultrashort pulse generation of InGaN multiquantum well structure laser diodes 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
5.
서명
Optical gain and carrier lifetime of InGaN multi-quantum well structure laser diodes 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
6.
서명
Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
7.
서명
Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes with a lifetime of 27 hours 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
8.
서명
Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes with a long lifetime 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
9.
서명
Subband emissions of InGaN multi-quantum-well laser diodes under room-temperature continuous wave operation 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
10.
서명
Ultrafast all-optical gate switch based on frequency shift accompanied by semiconductor band-filling effect 미리보기
저자
Nakamura, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
1 
임시보관함보기

하단메뉴