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제한항목: Wang, H; Institute of Electrical and Electronics Engineers]

검색간략리스트

1.

서명: LETTERS - Compound Semiconductor Devices - Demonstration of Aluminum-Free Metamorphic InP/In0.53Ga0.47As/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors on GaAs Substrates/
저자: Wang, H
발행처: Institute of Electrical and Electronics Engineers
원문제공시작년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

2.

서명: LETTERS - Silicon Alloys and Thin Film - Submicron Super TFTs for 3-D VLSI Applications/
저자: Wang, H
발행처: Institute of Electrical and Electronics Engineers
원문제공시작년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

3.

서명: PAPERS - Compound Semiconductor Devices - Current Transient in Polymide-Passivated InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors: Systematic Experiments and Physical Model/
저자: Wang, H
발행처: Institute of Electrical and Electronics Engineers
원문제공시작년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

4.

서명: TRANSMISSION AND DISTRIBUTION COMMITTEE - A Unified Model for the Analysis of FACTS Devices in Damping Power System Oscillations -- Part III: Unified Power Flow Controller/
저자: Wang, H
발행처: Institute of Electrical and Electronics Engineers
원문제공시작년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

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