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501.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - 7.5kW/mm2 current switch using AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on SiC substrates/ 미리보기
저자
Simin, G
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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502.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Accumulation mode MOS varactor SPICE model for RFIC applications/ 미리보기
저자
Rustagi, S C
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
503.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Behaviour of CuInGaSe2 solar cells under light irradiation/ 미리보기
저자
Yanagisawa, T
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
504.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Demonstration of 4H-SiC power bipolar junction transistors/ 미리보기
저자
Luo, Y
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
505.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Direct extraction of LDMOS small signal parameters from off-state measurements/ 미리보기
저자
Gaddi, R
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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506.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Electrophoretically deposited zinc oxide thick film gas sensor/ 미리보기
저자
Hossein-Babaei, F
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
507.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Electro-thermal device and circuit simulation with thermal nonlinearity due to temperature dependent diffusivity/ 미리보기
저자
Batty, W
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
508.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Evaluation of effective electron velocity in AlGaN/GaN HEMTs/ 미리보기
저자
Akita, M
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
509.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Fabrication of masks for DUV and EUV lithography using silicide direct-write electron beam lithography process/ 미리보기
저자
Lavall�e, E
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
510.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Ga2O3(Gd2O3) film as high-k gate dielectric for SiGe MOSFET devices/ 미리보기
저자
Pal, S
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
511.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - GaN MESFETs on (111) Si substrate grown by MOCVD/ 미리보기
저자
Egawa, T
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
512.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High DC current gain InGaP/GaAs HBTs grown by LP-MOCVD/ 미리보기
저자
Chung, T
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
513.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High Schottky barrier Al0.5In0.5P/InGaAs doped-channel HFETs with superior microwave power performance/ 미리보기
저자
Chiu, H C
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
514.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High-speed AlGaN/GaN HFETs fabricated by wet etching mesa isolation/ 미리보기
저자
Maher, H
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
515.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High-voltage GaN pin vertical rectifiers with 2mm thick Hayer/ 미리보기
저자
Zhu, T G
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
516.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Improved BSIM3v3 model for RF MOSFET IC simulation/ 미리보기
저자
Lee, Seonghearn
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
517.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - InGaP/GaAs camel-like field-effect transistor for high-breakdown and high-temperature applications/ 미리보기
저자
Yu, Kuo-Hui
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
518.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Intersubband transition in InGaAs/AlAsSb/InP coupled double quantum well structures optimised for communication wavelength operation/ 미리보기
저자
Neogi, A
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
519.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Low-frequency noise in AlSb/InAs HEMTs/ 미리보기
저자
Kruppa, W
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
520.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Modelling of direct tunnelling for thin SiO2 film on n-type Si(100) by Wentzel, Kramers, Brillouin method/ 미리보기
저자
Matsuo, N
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
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