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American Institute of Physics
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저자
Carvalho, M
(2)
Chiasera, A
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Cook, T. E
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Goano, Michele
(2)
Khater, A. H
(2)
Lai, C.-H
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출판사
American Institute of Physics
(394)
발행년도
1980
(265)
2001
(60)
2003
(39)
2000
(30)
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서명
저자
발행처
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30
50
100
241.
서명
Bond selective dissociation of CH~3SH^+ and CH~3CH~2SH^+ via collisionalactivation
저자
Chen, Y.-J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
242.
서명
Bond selective infrared multiphoton excitation and dissociation of linear monodeuterated acetylene
저자
Kaluza, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
243.
서명
Bootstrap current and neoclassical transport in tokamaks of arbitrary collisionality and aspect ratio
저자
Houlberg, W. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
244.
서명
Border traps in 6H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors investigated by the thermally-stimulated current technique/
저자
Olafsson, H �
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
245.
서명
Bordoni peaks in face-centered cubic metals at low temperatures
저자
Marchesoni, F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
246.
서명
Boron acceptor levels in 6H-SiC bulk samples
저자
Evwaraye, A. O
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
247.
서명
Boron and phosphorus diffusion in strained and relaxed Si and SiGe/
저자
Zangenberg, N. R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
248.
서명
Boron carbide/n-silicon carbide heterojunction diodes/
저자
Adenwalla, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
249.
서명
Boron-compensation effect on hydrogenated amorphous silicon with oxygen and nitrogen impurities
저자
Isomura, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
250.
서명
Boron diffusion in silicon in the presence of other species/
저자
Li, Hong-Jyh
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
251.
서명
Boron-doped amorphous diamondlike carbon as a new p-type window materialin amorphous silicon p-i-n solar cells
저자
Chang Hyun Lee
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
252.
서명
Boron implantation doping of diamond
저자
Ittermann, B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
253.
서명
Boron implantation/in situ annealing procedure for optimal p-type properties of diamond
저자
Fontaine, F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
254.
서명
Boron-interstitial silicon clusters and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon/
저자
Solmi, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
255.
서명
Boron penetration in p+ polycrystalline-Si/Al2O3/Si metal-oxide-semiconductor system/
저자
Park, Dae-Gyu
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
256.
서명
Boron penetration in p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors enhanced by gate ion-implantation damage/
저자
Aoyama, Takayuki
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
257.
서명
Boron redistribution in a shallow �doped Si structure after solid phaseepitaxial growth
저자
Huang, M. B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
258.
서명
Boson-fermion model with two-body interactions: Exact results
저자
Wang, Y
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
259.
서명
Bottom IrMn-based spin valves by using oxygen surfactant/
저자
Hwang, J. Y
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
260.
서명
Bounce averaged trapped electron fluid equations for plasma turbulence
저자
Beer, M. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
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