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American Institute of Physics
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(1456)
저자
Mochejska, B J
(4)
Cavallini, A
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Yoshizaki, T
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American Institute of Physics
(1456)
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1980
(943)
2001
(223)
2000
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2003
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저자
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321.
서명
Deposition of silicon dioxide films on amorphous carbon films by plasma enhanced chemical vapor deposition for low dielectric constant interlayerdielectrics
저자
Endo, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
322.
서명
Deposition of SiN~x:H thin films by the electron cyclotron resonance andits application to Al/SiN~x:H/Si structures
저자
Garcia, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
323.
서명
Deposition of thermally stable, low dielectric constant fluorocarbon/SiO~2 composite thin film
저자
Kim, D. S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
324.
서명
Deposition of three-dimensional Ge islands on Si(001) by chemical vapor deposition at atmospheric and reduced pressures
저자
Kamins, T. I
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
325.
서명
Deposition-order-dependent coercivity of CoNi/Gd bilayers/
저자
Altuncevahir, B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
326.
서명
Deposition-rate reduction through improper substrate-to-electrode attachment in very-high-frequency deposition of a-Si:H
저자
Meiling, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
327.
서명
Deposition-temperature dependence of texture and magnetic properties of sputtered Ni/Fe multilayers
저자
Veres, T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
328.
서명
Depression of melting point of multidomained bismuth in aluminum based metallic glass nanocomposites
저자
Goswami, R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
329.
서명
Depth analysis of phase formation in Si after high-dose Fe ion implantation by depth-selective conversion-electron Mossbauer spectroscopy
저자
Kruijer, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
330.
서명
Depth dependence of ion implantation damage in Al~xGa~1-~xAs/GaAs heterostructures
저자
Turkot, B. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
331.
서명
Depth dependence of residual strains in polycrystalline Mo thin films using high-resolution x-ray diffraction
저자
Malhotra, S. G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
332.
서명
Depth dependent carrier density profile by scanning capacitance microscopy
저자
Kang, C. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
333.
서명
Depth distribution of silicon-ion induced defects in crystalline silicon
저자
Chavan, S. T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
334.
서명
Depth distributions of hydrogen and intrinsic stress in a-Si:H films prepared from hydrogen-diluted silane/
저자
Danesh, P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
335.
서명
Depth measurement of doped semiconductors using the Hall technique
저자
DeSalvo, G. C
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
336.
서명
Depth profile of trapped charges in oxide layer of 6H-SiC metal-oxide-semiconductor structures
저자
Yoshikawa, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
337.
서명
Depth profiles of magnetostatic and dynamic characteristics in annealed Co~6~6Fe~4B~1~5Si~1~5 amorphous ribbons/
저자
Rheem, Y. W
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
338.
서명
Depth profiles of vacancy- and interstitial-type defects in MeV implanted Si
저자
Coffa, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
339.
서명
Depth-resolved and excitation power dependent cathodoluminescence study of GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition
저자
Li, X
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
340.
서명
Depth-resolved cathodoluminescence microanalysis of near-edge emission in III-nitride thin films/
저자
Gelhausen, O
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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