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1.
서명
Enhanced crystallization of amorphous Si containing hydrogen without oxygen during ion-beam irradiation at 310 � and during furnace annealing below 450 � 미리보기
저자
Nakata, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
2.
서명
Epitaxial crystallization during 600 � furnace annealing of amorphous Si layer deposited by low-pressure chemical-vapor-deposition and irradiated with 1-MeV Xe ions 미리보기
저자
Nakata, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
3.
서명
Evidence of enhanced epitaxial crystallization at low temperature by inelastic electronic scattering of mega-electron-volt heavy-ion-beam irradiation 미리보기
저자
Nakata, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
1 

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