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[가나다ABC : E]
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American Institute of Physics
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기사
(2610)
저자
Shaing, K. C
(6)
Zhang, L
(5)
Chen, Q
(3)
Chen, W
(3)
Duan, N
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Gotoh, H
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Kim, H
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출판사
American Institute of Physics
(2610)
발행년도
1980
(1614)
2001
(458)
2003
(304)
2000
(234)
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서명
저자
발행처
원문제공시작년
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5
10
15
20
30
50
100
881.
서명
Electrical properties of boron nitride thin films grown by neutralized nitrogen ion assisted vapor deposition
저자
Lu, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
882.
서명
Electrical properties of buried oxide-silicon interface
저자
Dimitrakis, P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
원문복사 신청
원문제공마감년
883.
서명
Electrical properties of chemical-solution-derived Bi~3~.~5~4Nd~0~.~4~6Ti~3O~1~2 ferroelectric thin films/
저자
Wu, D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
884.
서명
Electrical properties of Co-doped b-FeSi2 crystals/
저자
Brehme, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
885.
서명
Electrical properties of electron irradiated thin polycrystalline CdSe layers/
저자
Antohe, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
886.
서명
Electrical properties of epitaxial tungsten films grown by laser ablation deposition
저자
Mikhailov, G. M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
887.
서명
Electrical properties of fluorinated amorphous carbon films/
저자
Biswas, N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
888.
서명
Electrical properties of heteroepitaxial grown tin-doped indium oxide films
저자
Taga, N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
889.
서명
Electrical properties of high energy ^1^2^0Sn implantation in GaAs
저자
Narsale, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
890.
서명
Electrical properties of high resistivity 6H-SiC under high temperature/high field stress
저자
Gradinaru, G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
891.
서명
Electrical properties of InAlAs/InGaAs modulation doped structure after SiN passivated annealing
저자
Wakejima, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
892.
서명
Electrical properties of La~0~.~7~-~xPr~xSr~0~.~3MnO~3 perovskite
저자
Guo, Z
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
893.
서명
Electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Cu
저자
Shigetomi, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
894.
서명
Electrical properties of magnetron sputtered amorphous carbon films with sequential sp3-rich/sp2-rich layered structure/
저자
Hastas, N A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
895.
서명
Electrical properties of metal/poroussilicon/p-Si structures with thin porous silicon layer/
저자
Balagurov, L A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
896.
서명
Electrical properties of MgO insulating layers in spin-dependent tunneling junctions using Fe3O4/
저자
Kiyomura, T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
897.
서명
Electrical properties of Na-incorporated Cu(In~1~-~xGa~x)~3Se~5 thin films
저자
Kohara, N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
898.
서명
Electrical properties of nearly stoichiometric GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperature/
저자
Fukushima, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
899.
서명
Electrical properties of n-GaSe single crystals doped with chlorine
저자
Micocci, G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
900.
서명
Electrical properties of oxides grown on strained Si using microwave N~2O plasma
저자
Bera, L. K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
원문복사 신청
원문제공마감년
41
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