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American Institute of Physics
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Shaing, K. C
(6)
Zhang, L
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Chen, Q
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Chen, W
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Duan, N
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Gotoh, H
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Kim, H
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출판사
American Institute of Physics
(2610)
발행년도
1980
(1614)
2001
(458)
2003
(304)
2000
(234)
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서명
저자
발행처
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20
30
50
100
1301.
서명
Electronic Structure - Universal and specific contributions in the density-like functionals: Application to transition metals/
저자
Zein, N E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1302.
서명
Electronic susceptibility and Curie temperature of the double-exchange model within dynamical mean-field theory/
저자
Fishman, R. S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1303.
서명
Electronic thermal pressure and equation of state of gold at high temperature and high pressure/
저자
Matsui, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1304.
서명
Electronic to vibrational energy transfer between Rb(5 ^2P~J) and H~2
저자
Chen, M.-L
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1305.
서명
Electronic transition moment and rotational transition probabilities in CH. I. A ^2cap delta-X ^2II system
저자
Luque, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1306.
서명
Electronic transition moment and rotational transition probabilities in CH. II. B ^2cap sigma^--X ^2cap pi system
저자
Luque, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1307.
서명
Electronic transport and metastabilities in P-doped a-Si:H
저자
Agarwal, P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1308.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Acceptor reactivation kinetics in heavily carbon-doped GaAs epitaxial layers/
저자
Mimila-Arroyo, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1309.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors on SiC substrates/
저자
Khan, M Asif
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1310.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Barrier-width dependence of quantum efficiencies of GaN/AlxGa1-xN multiple quantum wells/
저자
Shin, Eun-joo
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1311.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Current-voltage curves of gold quantum point contacts revisited/
저자
Hansen, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1312.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Electrical measurements on p+-p--p+ homoepitaxial diamond capacitors/
저자
Inushima, Takashi
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1313.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Electrical properties of boron-doped p-SiGeC grown on n--Si substrate/
저자
Ahoujja, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1314.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Far-infrared and selective photoluminescence studies of shallow donors in GaN hetero- and homoepitaxial layers/
저자
Neu, G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1315.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Growth temperature dependence of transport properties of InAs epilayers grown on GaP/
저자
Souw, Victor
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1316.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Hot hole relaxation dynamics in p-GaN/
저자
Ye, Hong
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1317.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Identification of vacancy charge states in diffusion of arsenic in germanium/
저자
Vainonen-Ahlgren, E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1318.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Imaging charge trap distributions in GaN using environmental scanning electron microscopy/
저자
Toth, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1319.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Influence of threading dislocations on the near-bandedge photoluminescence of wurtzite GaN thin films on SiC substrate/
저자
Qiu, X G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1320.
서명
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Investigation of deep levels in rapid thermally annealed SiO2-capped n-GaAs grown by metal-organic chemical vapor deposition/
저자
Deenapanray, P N K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
원문복사 신청
원문제공마감년
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