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서명
Formation mechanism of interfacial voids in the growth of SiC films on Si substrates/ 미리보기
저자
Kim, Kwang Chul
발행처
Published for the Society by the American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
1 
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