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American Institute of Physics
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Kendrick, B
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Anderson, G. W
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American Institute of Physics
(639)
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1980
(446)
2001
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2000
(62)
2003
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저자
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401.
서명
Ground-state depletion mechanisms in pulsed barium vapor lasers
저자
Mildren, R. P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
402.
서명
Ground-state intermolecular spectroscopy and pendular states in benzene-argon
저자
Kim, W
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
403.
서명
Ground states and low-temperature phases of itinerant electrons interacting with classical fields: A review of rigorous results
저자
Macris, N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
404.
서명
Groupoid approach to noncommutative quantization of gravity
저자
Heller, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
405.
서명
Group quantization on configuration space
저자
Navarro, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
406.
서명
Group quantization on configuration space: Gauge symmetries and linear fields
저자
Navarro, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
407.
서명
Group theoretical foundations of fractional supersymmetry
저자
De Azcarraga, J. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
408.
서명
Group velocities in coplanar strip transmission lines on Si and Si/SiO~2/Si substrates measured using differential electro-optic sampling
저자
Chen, E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
409.
서명
Group-VI impurity-related DX centers in In~0~.~1~8Ga~0~.~8~2As~0~.~2~8P~0~.~7~2
저자
Ho Ki Kwon
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
410.
서명
Group V incorporation in InGaAsP grown on InP by gas source molecular beam epitaxy
저자
LaPierre, R. R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
411.
서명
Growth and characterization of AlInGaN quaternary alloys
저자
McIntosh, F. G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
412.
서명
Growth and characterization of anodic oxides on Si(100) formed in 0.1 M hydrochloric acid
저자
Bardwell, J. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
413.
서명
Growth and characterization of a novel In2Se3 structure/
저자
Groot, C H de
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
414.
서명
Growth and characterization of BSTO/hexaferrite composite thin films/
저자
Hajndl, R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
415.
서명
Growth and characterization of bulk InGaN films and quantum wells
저자
Keller, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
416.
서명
Growth and characterization of epitaxial Mo/NbN superlattices
저자
Madan, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
417.
서명
Growth and characterization of excimer laser-ablated BaBi2Nb2O9 thin films/
저자
Laha, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
418.
서명
Growth and characterization of Fe-doped Pb(Zn~1~/~3Nb~2~/~3)O~3-PbTiO~3single crystals/
저자
Zhang, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
419.
서명
Growth and characterization of GaAs epitaxial layers on Si/porous Si/Si substrate by chemical beam epitaxy/
저자
Saravanan, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
420.
서명
Growth and characterization of GaN:Mn epitaxial films/
저자
Graf, T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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