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421.
서명
Growth and characterization of heteroepitaxial CdTe and ZnTe on Ge(001) buffer layers 미리보기
저자
Smith, D. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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422.
서명
Growth and characterization of II-VI blue light-emitting diodes using short period superlattices 미리보기
저자
Wu, B. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
423.
서명
Growth and characterization of InAs/GaSb photoconductors for long wavelength infrared range 미리보기
저자
Mohseni, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
424.
서명
Growth and characterization of InSbBi for long wavelength infrared photodetectors 미리보기
저자
Lee, J. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
425.
서명
Growth and characterization of (InSb)~m(InP)~n short period superlattices 미리보기
저자
Utzmeier, T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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426.
서명
Growth and characterization of K~3Li~2(Ta~xNb~1~-~x)~5O~1~5 crystals forblue second-harmonic-generation applications 미리보기
저자
Furukawa, Y
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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427.
서명
Growth and characterization of low-temperature grown GaN with high Fe doping/ 미리보기
저자
Akinaga, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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428.
서명
Growth and characterization of magnetoresistive La-Ca-Mn-O films on Si(100) and Si(111) substrates 미리보기
저자
Kung, P.-J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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429.
서명
Growth and characterization of mid-infrared InGaAs/InAlAs strained triple-quantum-well light-emitting diodes grown on lattice-mismatched GaAs substrates 미리보기
저자
Grietens, B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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430.
서명
Growth and characterization of non-c-oriented epitaxial ferroelectric SrBi2Ta2O9 films on buffered Si(100)/ 미리보기
저자
Lee, Ho Nyung
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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431.
서명
Growth and characterization of phosphorous doped {111} homoepitaxial diamond thin films 미리보기
저자
Koizumi, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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432.
서명
Growth and characterization of phosphorus doped diamond films using trimethyl phosphite as the doping source 미리보기
저자
Roychoudhury, R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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433.
서명
Growth and characterization of p-type HgTe/Hg1-xCdxTe single quantum wells using nitrogen and arsenic/ 미리보기
저자
Ortner, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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434.
서명
Growth and characterization of silicon thin films employing supersonic jets of SiH~4 on polysilicon and Si(100) 미리보기
저자
Mullins, C. B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
435.
서명
Growth and characterization of Y2O3:Eu on Si and yttria-stabilized zirconia/ 미리보기
저자
Joo Rhee, Seuk
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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436.
서명
Growth and characterizations of GaN on SiC substrates with buffer layers 미리보기
저자
Lin, C. F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
437.
서명
Growth and collapse of structural patterns in the hydrogen bond network in liquid water 미리보기
저자
Shiratani, E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
438.
서명
Growth and decay of macroparticles: A feasible approach to clean vacuum arc plasmas? 미리보기
저자
Anders, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
439.
서명
Growth and doping of Si layers by molecular-jet chemical vapor deposition: Device fabrication 미리보기
저자
Lubben, D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
440.
서명
Growth and electrical characterization of Si delta-doped GaInP by low pressure metalorganic chemical vapor deposition 미리보기
저자
Wang, C.-J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
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