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521.
서명
Growth of Er-doped silicon using metalorganics by plasma-enhanced chemical vapor deposition 미리보기
저자
Andry, P. S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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522.
서명
Growth of ferromagnetic Nd0.7Sr0.3MnO3 films with an off-axis sputtering configuration/ 미리보기
저자
Wang, L M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
523.
서명
Growth of Fe~xNi~1~-~x ultrathin films on Cu(100) near the invar concentration 미리보기
저자
Schumann, F. O
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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524.
서명
Growth of GaN on sapphire (0001) using a supersonic jet of plasma-generated atomic nitrogen 미리보기
저자
Sellidj, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
525.
서명
"Growth of germanium-carbon alloys on silicon substrates by molecular beam epitaxy" [Appl. Phys. Lett. 67, 1865 (1995)] 미리보기
저자
Kolodzey, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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526.
서명
Growth of giant magnetoresistance spin valves using Pb and Au as surfactants 미리보기
저자
Egelhoff, W. F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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527.
서명
Growth of heteroepitaxial ZnO thin films by femtosecond pulsed-laser deposition/ 미리보기
저자
Millon, E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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528.
서명
Growth of hexagonal GaN on Si(111) coated with a thin flat SiC buffer layer/ 미리보기
저자
Wang, D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
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529.
서명
Growth of HgBa~2Ca~2Cu~3O~8~+~�thin films on LaAlO~3 substrates using fast temperature ramping Hg-vapor annealing 미리보기
저자
Yun, S. H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
530.
서명
Growth of HgCdTe and CdTe(331)B on germanium substrate by molecular beamepitaxy 미리보기
저자
Zanatta, J. P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
531.
서명
Growth of high-k silicon oxynitride thin films by means of a pulsed laser deposition-atomic nitrogen plasma source hybrid system for gate dielectric applications/ 미리보기
저자
Desbiens, E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
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원문제공마감년
532.
서명
Growth of highly textured LiNbO~3 thin film on Si with MgO buffer layer through the sol-gel process 미리보기
저자
Yoon, J.-G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
533.
서명
Growth of highly transparent nanocrystalline diamond films and a spectroscopic study of the growth/ 미리보기
저자
Chen, L C
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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534.
서명
Growth of high quality Al~0~.~2~2Ga~0~.~7~8As layers on Si substrates bymetalorganic chemical vapor deposition 미리보기
저자
Baskar, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
535.
서명
Growth of high quality Al~0~.~4~8In~0~.~5~2As/Ga~0~.~4~7In~0~.~5~3As heterostructures using strain relaxed Al~xGa~yIn~1~-~z~-~yAS buffer layers on GaAs 미리보기
저자
Haupt, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
536.
서명
Growth of high quality crack-free AlGaN films on GaN templates using plastic relaxation through buried cracks/ 미리보기
저자
Bethoux, J.-M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
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537.
서명
Growth of high-quality GaAs/AlAs Bragg mirrors on patterned InP-based quantum well mesa structures 미리보기
저자
Gebretsadik, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
538.
서명
Growth of InxGa1-xAs quantum dots by metal-organic chemical vapor deposition on Si substrates and in GaAs-based lasers/ 미리보기
저자
Kazi, Zaman Iqbal
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
539.
서명
Growth of iodine-doped ZnS~0~.~0~7Se~0~.~9~3 disordered alloys and electron mobility enhancement by ordered structures in (ZnS)~3(ZnSe)~4~2 미리보기
저자
Fujiwara, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
540.
서명
Growth of large-scale GaN nanowires and tubes by direct reaction of Ga with NH3/ 미리보기
저자
He, Maoqi
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
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