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[가나다ABC : H]
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66
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66
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페이지
제한항목
2000
American Institute of Physics
검색결과제한
자료유형
기사
(66)
저자
Alves, David R
(1)
Ang, T W
(1)
Beffa, Federico
(1)
Bock, J J
(1)
Boehme, Christoph
(1)
Brosseau, C
(1)
Brown, J M
(1)
Cain, Paul A
(1)
Chang, K C
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Chen, X
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Chew, Khian-Hooi
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David, C
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Dobrovolsky, Valentin N
(1)
Dubner, G M
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Elmegreen, Bruce G
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Feinstein, Carlos
(1)
Frayssinet, E
(1)
Gilbert, Donald R
(1)
Gueorguiev, Y M
(1)
Hakovirta, M
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출판사
American Institute of Physics
(66)
발행년도
2000
(66)
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서명
저자
발행처
원문제공시작년
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5
10
15
20
30
50
100
1.
서명
H 1 IMAGING OF CASSIOPEIA I/
저자
Marvel, Kevin B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
2.
서명
Hall mobility and free electron density at the SiC/SiO2 interface in 4H-SiC/
저자
Saks, N S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
3.
서명
Heat capacity of hydrogenated diamond-like carbon films/
저자
Hakovirta, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
4.
서명
High-amplitude high-frequency oscillations of temperature, electron-hole pair concentration, and current in silicon-on-insulator structures/
저자
Dobrovolsky, Valentin N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
5.
서명
High-brightness organic double-quantum-well electroluminescent devices/
저자
Huang, Jingsong
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
6.
서명
High-carbon concentrations at the silicon dioxide-silicon carbide interface identified by electron energy loss spectroscopy/
저자
Chang, K C
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
7.
서명
High coercivity in mechanically milled ThMn12-type Nd-Fe-Mo nitrides/
저자
Zhang, Xiao-dong
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
8.
서명
High-dielectric-constant Ta2O5/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure/
저자
Tu, L W
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
9.
서명
High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions/
저자
Kalinina, E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
10.
서명
High electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown on bulk GaN substrates/
저자
Frayssinet, E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
11.
서명
High-energy ion-implantation-induced gettering of copper in silicon beyond the projected ion range: The trans-projected-range effect/
저자
Gueorguiev, Y M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
12.
서명
High figure of merit in partially filled ytterbium skutterudite materials/
저자
Nolas, G S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
13.
서명
Highly efficient 2% Nd:yttrium aluminum garnet ceramic laser/
저자
Lu, Jianren
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
14.
서명
Highly efficient unibond silicon-on-insulator blazed grating couplers/
저자
Ang, T W
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
15.
서명
Highly erbium-doped zinc-oxide thin film prepared by laser ablation and its 1.54 (micro)m emission dynamics/
저자
Komuro, Shuji
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
16.
서명
Highly parallel data storage system based on scanning probe arrays/
저자
Lutwyche, M I
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
17.
서명
Highly stable dye-sensitized solid-state solar cell with the semiconductor 4CuBr 3S(C4H9)2 as the hole collector/
저자
Tennakone, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
18.
서명
High-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy/
저자
Manfra, M J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
19.
서명
High nonlinearity of Ba0.6Sr0.4TiO3 films heteroepitaxially grown on MgO substrates/
저자
Park, B H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
20.
서명
High-pressure process to produce GaN crystals/
저자
Gilbert, Donald R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
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