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381.
서명
High-quality aluminum oxide gate dielectrics by ultra-high-vacuum reactive atomic-beam deposition/ 미리보기
저자
Guha, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
382.
서명
High quality CeO~2 film grown on Si(111) substrate by using low energy dual ion beam deposition technology 미리보기
저자
Huang, D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
383.
서명
High quality crystalline ZnO buffer layers on sapphire (001) by pulsed laser deposition for III-V nitrides 미리보기
저자
Vispute, R. D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
384.
서명
High quality CuInSe~2 films grown on pseudo-lattice-matched substrates by molecular beam epitaxy 미리보기
저자
Niki, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
385.
서명
High quality epitaxial Si films onto gamma-Al~2O~3 (111)/Si (111) substrates using Al predeposition layers 미리보기
저자
Jung, Y.-C
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
386.
서명
High quality epitaxial Si grown by a simple low pressure chemical vapor deposition at 550 � 미리보기
저자
Chin, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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387.
서명
High-quality, faceted cubic boron nitride films grown by chemical vapor deposition/ 미리보기
저자
Zhang, W J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
388.
서명
High quality fluorinated silicon oxide films prepared by plasma enhancedchemical vapor deposition at 120 � 미리보기
저자
Song, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
389.
서명
High quality GaN-InGaN heterostructures grown on (111) silicon substrates 미리보기
저자
Yang, J. W
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
390.
서명
High-quality Ge films on Si substrates using Sb surfactant-mediated graded SiGe buffers/ 미리보기
저자
Liu, J L
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
391.
서명
High-quality InGaN/GaN multiple quantum wells grown on Ga-polarity GaN by plasma-assisted molecular-beam epitaxy/ 미리보기
저자
Shen, X Q
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
392.
서명
High quality InP on Si by conformal growth 미리보기
저자
Parillaud, O
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
393.
서명
High quality large-area CdTe(211)B on Si(211) grown by molecular beam epitaxy 미리보기
저자
Rujirawat, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
394.
서명
High-quality MgB2 films on boron crystals with onset Tc of 41.7 K/ 미리보기
저자
Hur, N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
395.
서명
High-quality Nb~3Sn thin films on sapphire prepared by tin vapor diffusion 미리보기
저자
Perpeet, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
396.
서명
High quality Nb/Al-AlO~x/Nb superconducting tunnel junctions for radiation detection 미리보기
저자
Joosse, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
397.
서명
High-quality p-n junctions with quaternary AlInGaN/InGaN quantum wells/ 미리보기
저자
Chitnis, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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398.
서명
High-quality strain-relaxed SiGe films grown with low temperature Si buffer/ 미리보기
저자
Luo, Y H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
399.
서명
High quality superconducting tunnel junctions on Nb and Ta single crystals for radiation detection 미리보기
저자
Bruijn, M. P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
400.
서명
High quality two-dimensional photonic crystal slab cavities/ 미리보기
저자
Yoshie, Tomoyuki
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
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