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421.
서명
NiH~2 has a singlet ground state 미리보기
저자
Barron, J. R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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422.
서명
NiMn-pinned spin valves with high pinning field made by ion beam sputtering 미리보기
저자
Mao, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
423.
서명
N incorporation in GaP and band gap bowing of GaN~xP~1~-~x 미리보기
저자
Bi, W. G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
424.
서명
N incorporation in InP and band gap bowing of InNxP~1~-~x 미리보기
저자
Bi, W. G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
425.
서명
N-induced vibrational modes in GaAsN and GaInAsN studied by resonant Raman scattering/ 미리보기
저자
Wagner, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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426.
서명
Niobate-based microwave dielectrics suitable for third generation mobile phone base stations/ 미리보기
저자
Hughes, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
427.
서명
NiO structure-exchange anisotropy relation in the Ni~8~1Fe~1~9/NiO filmsand thermal stability of its NiO film 미리보기
저자
Soeya, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
428.
서명
Ni/Si based multilayer for the reflection of soft x rays in the "water window" 미리보기
저자
Cilia, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
429.
서명
Nitric acid oxidation of Si to form ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density/ 미리보기
저자
Asuha, H. K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
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430.
서명
Nitridation of fine grain chemical vapor deposited tungsten film as diffusion barrier for aluminum metallization 미리보기
저자
Chang, K.-M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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원문제공마감년
431.
서명
Nitridation of sapphire. Effect on the optical properties of GaN epitaxial overlayers 미리보기
저자
Grandjean, N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
432.
서명
Nitridation of silicon oxide layers by nitrogen plasma generated by low energy electron impact 미리보기
저자
Kobayashi, H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
433.
서명
Nitridation process of sapphire substrate surface and its effect on the growth of GaN 미리보기
저자
Uchida, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
434.
서명
"Nitridation process of sapphire substrate surface and its effect on thegrowth of GaN" [J. Appl. Phys. 79, 3487 (1996)] 미리보기
저자
Uchida, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
435.
서명
Nitriding of coarse powders of Sm~2Fe~1~7 based carbides 미리보기
저자
Chen, X
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
436.
서명
Nitrogen and aluminum implantation in high resistivity silicon carbide 미리보기
저자
Dwight, D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
437.
서명
Nitrogen bonding structure in carbon nitride thin films studied by soft x-ray spectroscopy/ 미리보기
저자
Hellgren, Niklas
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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원문제공마감년
438.
서명
Nitrogen containing hydrogenated amorphous carbon for thin-film field emission cathodes 미리보기
저자
Amaratunga, G. A. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
439.
서명
Nitrogen dependence of the GaAsN interband critical points E1 and E1+G1 determined by spectroscopic ellipsometry/ 미리보기
저자
Leibiger, G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
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원문제공마감년
440.
서명
Nitrogen doped fluorinated amorphous carbon thin films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition for low dielectric constant interlayer dielectrics 미리보기
저자
Endo, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
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