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American Institute of Physics]
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저자
American Institute of Physics
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American Institute of Physics
(1557)
American Institute of Physics]
(1)
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1980
(1046)
2001
(234)
2003
(155)
2000
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1994
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601.
서명
Photoluminescence of the Se and Si DX centers in (Al~xGa~1~-x)~0~.~5In~0~.~5P (x < 0.5) grown by metalorganic vapor phase epitaxy
저자
Lee, K.-J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
602.
서명
Photoluminescence of transparent strontium-barium-niobate-doped silica nanocomposites/
저자
Lu, S G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
603.
서명
Photoluminescence of undoped and neutron-transmutation-doped InSe/
저자
Homs, A A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
604.
서명
Photoluminescence of undoped bulk InP grown by the liquid-encapsulated vertical Bridgman technique
저자
Kang, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
605.
서명
Photoluminescence of Yb3+-doped CuInS2 crystals in magnetic fields/
저자
Tsujii, N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
606.
서명
Photoluminescence of Zn~xCd~yMg~1~-~x~-~ySe alloys as a manifestation of the breakdown of "common-anion rule"/
저자
Zhou, X
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
607.
서명
Photoluminescence performance of pulsed-laser deposited Al2O3 thin films with large erbium concentrations/
저자
Serna, R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
608.
서명
Photoluminescence processes in Si~1~-~xGe~x/Si disordered superlattices grown on Si(001) substrate
저자
Wakahara, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
609.
서명
Photoluminescence properties of cubic GaN grown on GaAs(100) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
저자
Wu, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
610.
서명
Photoluminescence properties of GaN grown on compliant silicon-on-insulator substrates
저자
Cao, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
611.
서명
Photoluminescence properties of GaNP/GaP multiple quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy/
저자
Xin, H P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
612.
서명
Photoluminescence properties of MgxZn1-xO alloy thin films fabricated by the sol-gel deposition method/
저자
Zhao, Dongxu
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
613.
서명
Photoluminescence properties of ZnS epilayers
저자
Tran, T. K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
614.
서명
Photoluminescence related to the two-dimensional electron gas at a GaN/AlGaN heterointerface
저자
Bergman, J. P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
615.
서명
Photoluminescence spectra of deformed Si-Ge alloy
저자
Tanaka, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
616.
서명
Photoluminescence spectroscopy and decay time measurements of polycrystalline thin film CdTe/CdS solar cells/
저자
Bridge, C J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
617.
서명
Photoluminescence spectroscopy of erbium implanted gallium nitride
저자
Thaik, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
618.
서명
Photoluminescence spectroscopy of self-assembled InAs quantum dots in strong magnetic field and under high pressure
저자
Itskevich, I. E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
619.
서명
Photoluminescence spectroscopy on annealed molecular beam epitaxy grown GaN/
저자
Bell, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
620.
서명
Photoluminescence stability of a cyanoterphenyl chromophore in liquid crystalline polymeric systems/
저자
S�nchez, C
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
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