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621.
서명
Photoluminescence studies of broadband excitation mechanisms for Dy^3^+ emission in Dy:As~1~2Ge~3~3Se~5~5 glass 미리보기
저자
Turnbull, D. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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622.
서명
Photoluminescence studies of erbium-doped GaAs under hydrostatic pressure 미리보기
저자
Culp, T. D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
623.
서명
Photoluminescence studies of GaAs quantum wires with quantum confined Stark effect 미리보기
저자
Arakawa, T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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624.
서명
Photoluminescence studies of hydrogenated amorphous carbon and its alloys 미리보기
저자
Liu, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
625.
서명
Photoluminescence studies of InAs/InGaAs/AlAs strained single quantum well structures 미리보기
저자
Shen, W. Z
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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626.
서명
Photoluminescence studies of InGaAs/InAlAs strained double quantum wells 미리보기
저자
Shen, W. Z
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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627.
서명
Photoluminescence studies of self-assembled InSb, GaSb, and AlSb quantumdot heterostructures 미리보기
저자
Glaser, E. R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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628.
서명
Photoluminescence study of C~6~0 doped polystyrene 미리보기
저자
Zhang, C
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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629.
서명
Photoluminescence study of deep etched InGaAs/GaAs quantum wires and dots defined by low-voltage electron beam lithography 미리보기
저자
Steffen, R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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630.
서명
Photoluminescence study of excitons in homoepitaxial GaN/ 미리보기
저자
Mart�ez-Criado, G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
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631.
서명
Photoluminescence study of heavy doping effects in Te-doped GaSb 미리보기
저자
Bignazzi, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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632.
서명
Photoluminescence study of high quality InGaN-GaN single heterojunctions 미리보기
저자
Sun, C. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
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633.
서명
Photoluminescence study of hydrogenated aluminum oxide- semiconductor interface 미리보기
저자
Shi, S. S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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634.
서명
Photoluminescence study of implantation dose and dose-rate dependence ofSi doping of GaAs 미리보기
저자
Kotani, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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635.
서명
Photoluminescence study of InAsSb/InAsSbP heterostructures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition 미리보기
저자
Kim, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
636.
서명
Photoluminescence study of InGaAs/AlAsSb heterostructure/ 미리보기
저자
Georgiev, Nikolai
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
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637.
서명
Photoluminescence study of p-type CdGeAs~2 ordered semiconductor crystals 미리보기
저자
McCrae, J. E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
638.
서명
Photoluminescence study of Si~1~-~xGe~x/Si surface quantum wells 미리보기
저자
Kishimoto, Y
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
639.
서명
Photoluminescence study of Si~1~-~yC~y/Si quantum well structures grown by molecular beam epitaxy 미리보기
저자
Brunner, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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원문제공마감년
640.
서명
Photoluminescence study of the 1.047 eV emission in GaN 미리보기
저자
Pressel, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
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