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American Institute of Physics]
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American Institute of Physics
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American Institute of Physics
(1557)
American Institute of Physics]
(1)
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1980
(1046)
2001
(234)
2003
(155)
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1994
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621.
서명
Photoluminescence studies of broadband excitation mechanisms for Dy^3^+ emission in Dy:As~1~2Ge~3~3Se~5~5 glass
저자
Turnbull, D. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
622.
서명
Photoluminescence studies of erbium-doped GaAs under hydrostatic pressure
저자
Culp, T. D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
623.
서명
Photoluminescence studies of GaAs quantum wires with quantum confined Stark effect
저자
Arakawa, T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
624.
서명
Photoluminescence studies of hydrogenated amorphous carbon and its alloys
저자
Liu, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
625.
서명
Photoluminescence studies of InAs/InGaAs/AlAs strained single quantum well structures
저자
Shen, W. Z
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
626.
서명
Photoluminescence studies of InGaAs/InAlAs strained double quantum wells
저자
Shen, W. Z
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
627.
서명
Photoluminescence studies of self-assembled InSb, GaSb, and AlSb quantumdot heterostructures
저자
Glaser, E. R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
628.
서명
Photoluminescence study of C~6~0 doped polystyrene
저자
Zhang, C
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
629.
서명
Photoluminescence study of deep etched InGaAs/GaAs quantum wires and dots defined by low-voltage electron beam lithography
저자
Steffen, R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
630.
서명
Photoluminescence study of excitons in homoepitaxial GaN/
저자
Mart�ez-Criado, G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
631.
서명
Photoluminescence study of heavy doping effects in Te-doped GaSb
저자
Bignazzi, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
632.
서명
Photoluminescence study of high quality InGaN-GaN single heterojunctions
저자
Sun, C. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
633.
서명
Photoluminescence study of hydrogenated aluminum oxide- semiconductor interface
저자
Shi, S. S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
634.
서명
Photoluminescence study of implantation dose and dose-rate dependence ofSi doping of GaAs
저자
Kotani, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
635.
서명
Photoluminescence study of InAsSb/InAsSbP heterostructures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
저자
Kim, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
636.
서명
Photoluminescence study of InGaAs/AlAsSb heterostructure/
저자
Georgiev, Nikolai
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
637.
서명
Photoluminescence study of p-type CdGeAs~2 ordered semiconductor crystals
저자
McCrae, J. E
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
638.
서명
Photoluminescence study of Si~1~-~xGe~x/Si surface quantum wells
저자
Kishimoto, Y
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
639.
서명
Photoluminescence study of Si~1~-~yC~y/Si quantum well structures grown by molecular beam epitaxy
저자
Brunner, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
640.
서명
Photoluminescence study of the 1.047 eV emission in GaN
저자
Pressel, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
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