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American Institute of Physics]
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American Institute of Physics
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American Institute of Physics
(1557)
American Institute of Physics]
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1980
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2001
(234)
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1381.
서명
Properties of Co-, Cr-, or Mn-implanted AlN/
저자
Frazier, R. M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1382.
서명
Properties of Cu/Au Schottky contacts on InGaP layer/
저자
Liu, D.-S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1383.
서명
Properties of dc magnetron sputtered indium tin oxide films on polymeric substrates at room temperature/
저자
Shin, J H
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1384.
서명
Properties of drift waves in a filamentary density depletion
저자
Pe�no, J. R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1385.
서명
Properties of DX center in Te-doped In~1~-~xGa~xAs~yP~1~-~y/GaAs~0~.~6~1P~0~.~3~9
저자
Jeon, B.-D
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1386.
서명
Properties of electron traps in In~1~-~xGa~xAs~yP~1~-~y grown on GaAs~0~.~6~1P~0~.~3~9
저자
Ho Ki Kwon
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1387.
서명
Properties of epitaxial ferroelectric PbZr~0~.~5~6Ti~0~.~4~4O~3 heterostructures with La~0~.~5Sr~0~.~5CoO~3 metallic oxide electrodes
저자
Wang, F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1388.
서명
Properties of epitaxial yttrium iron garnet films grown from BaO flux/
저자
Kucera, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1389.
서명
Properties of ferrites at low temperatures
저자
Dionne, G. F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1390.
서명
Properties of GaN films deposited on Si(111) by radio-frequency-magnetron sputtering/
저자
Miyazaki, Takayuki
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1391.
서명
Properties of GaN grown at high rates on sapphire and on 6H-SiC
저자
Fischer, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1392.
서명
Properties of high k gate dielectrics Gd2O3 and Y2O3 for Si/
저자
Kwo, J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1393.
서명
Properties of InGaN quantum-well heterostructures grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition
저자
Grudowski, P. A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1394.
서명
Properties of ion exchanged planar and channel optical waveguides fabricated in Cu doped KTiOPO~4 substrates
저자
Shi, L. P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1395.
서명
Properties of latent interface-trap buildup in irradiated metal-oxide-semiconductor transistors determined by switched bias isothermal annealing experiments/
저자
Jaksic, Aleksandar B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1396.
서명
Properties of leaky and degenerate modes in a prism-film coupler with waveguide structure/
저자
Zhang, X.-J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1397.
서명
Properties of low-pressure chemical vapor epitaxial GaN films grown using hydrazoic acid (HN~3)
저자
Chtchekine, D. G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1398.
서명
Properties of Mg activation in thermally treated GaN:Mg films/
저자
Lin, C F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1399.
서명
Properties of (Nb0.35,Ti0.15)xNi1-x thin films deposited on silicon wafers at ambient substrate temperature/
저자
Iosad, N N
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1400.
서명
Properties of NdBa~2Cu~3O~7~-~�thin film prepared by off-axis rf sputtering
저자
Kim, I.-S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
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