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1.
서명
"Reply to "A Comment on `Atomistic models of vacancy-mediated diffusion in silicon'" " [J. Appl. Phys. 79, 7409 (1996)] 미리보기
저자
Dunham, S. T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
2.
서명
Reply to "Comment on 'Atomistic models of vacancy-mediated diffusion in silicon'" [J. Appl. Phys. 78, 2362 (1995)] 미리보기
저자
Dunham, S. T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년
1 

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