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[가나다ABC : S]
총
96
건 중
96
건 출력
1/5
페이지
제한항목
2000
Institution of Electrical Engineers]
검색결과제한
자료유형
기사
(96)
저자
Boucouvalas, A C
(2)
Chen, L
(2)
Yang, H
(2)
Akita, M
(1)
Baek, SeongJoon
(1)
Batty, W
(1)
Beeby, S P
(1)
Belouchrani, A
(1)
Bissessur, Y
(1)
Brabetz, T
(1)
Carufel, J de
(1)
Chen, J D
(1)
Chen, S
(1)
Cherniakov, M
(1)
Chiu, H C
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Chung, T
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Constantinides, G A
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Dandekar, K R
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Ding, Z
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Farhang-Boroujeny, B
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Farina, M
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Gaddi, R
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Gameiro, A
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출판사
Institution of Electrical Engineers]
(57)
Institution of Electrical Engineers
(39)
발행년도
2000
(96)
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서명
저자
발행처
원문제공시작년
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5
10
15
20
30
50
100
1.
서명
Scalar quantisation of heavy-tailed signals/
저자
Tsakalides, P
발행처
Institution of Electrical Engineers
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
2.
서명
Security of the Jan-Tseng integrated schemes for user authentication and access control/
저자
He, W-H
발행처
Institution of Electrical Engineers
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
3.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - 1200V fully implanted JI technology/
저자
Hardikar, S
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
4.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - 188GHz doped-channel In0.8Ga0.2P/In0.53Ga0.47As/InP HFETs/
저자
Tang, Z
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
5.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - 7.5kW/mm2 current switch using AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on SiC substrates/
저자
Simin, G
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
6.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Accumulation mode MOS varactor SPICE model for RFIC applications/
저자
Rustagi, S C
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
7.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Behaviour of CuInGaSe2 solar cells under light irradiation/
저자
Yanagisawa, T
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
8.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Demonstration of 4H-SiC power bipolar junction transistors/
저자
Luo, Y
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
9.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Direct extraction of LDMOS small signal parameters from off-state measurements/
저자
Gaddi, R
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
10.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Electrophoretically deposited zinc oxide thick film gas sensor/
저자
Hossein-Babaei, F
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
11.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Electro-thermal device and circuit simulation with thermal nonlinearity due to temperature dependent diffusivity/
저자
Batty, W
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
12.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Evaluation of effective electron velocity in AlGaN/GaN HEMTs/
저자
Akita, M
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
13.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Fabrication of masks for DUV and EUV lithography using silicide direct-write electron beam lithography process/
저자
Lavall�e, E
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
14.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Ga2O3(Gd2O3) film as high-k gate dielectric for SiGe MOSFET devices/
저자
Pal, S
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
15.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - GaN MESFETs on (111) Si substrate grown by MOCVD/
저자
Egawa, T
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
16.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High DC current gain InGaP/GaAs HBTs grown by LP-MOCVD/
저자
Chung, T
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
17.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High Schottky barrier Al0.5In0.5P/InGaAs doped-channel HFETs with superior microwave power performance/
저자
Chiu, H C
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
18.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High-speed AlGaN/GaN HFETs fabricated by wet etching mesa isolation/
저자
Maher, H
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
19.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - High-voltage GaN pin vertical rectifiers with 2mm thick Hayer/
저자
Zhu, T G
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
20.
서명
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Improved BSIM3v3 model for RF MOSFET IC simulation/
저자
Lee, Seonghearn
발행처
Institution of Electrical Engineers]
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
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