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Electrochemical Society
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(471)
저자
Lee, J W
(3)
Beattie, S. D
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Bouchet, R
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Denesuk, M
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Do, Y R
(2)
Gao, Y
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Electrochemical Society
(471)
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2001
(174)
1980
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저자
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100
161.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Low Trap Density Nonleaky SiGe Quantum Well MOS Structures - Fabrication and Characteristics/
저자
Kar, S
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
162.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Material Analysis on Degradation Phenomena Caused by Hot Carrier in 0.35 mm WSi Gate GaAs Heterostructure Insulated Gate Field Effect Transistors/
저자
Ohshika, K
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
163.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Material Effects on Stress-Induced Defect Generation in Trenched Silicon-on-Insulator Structures/
저자
Nevin, W A
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
164.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Mechanism of Formation of Highly Photosensitive CdSe/ZnO Composite Coatings Obtained by Sintering CdSe/ZnCl2 Screen Printed Layers/
저자
Gomez-Daza, O
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
165.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Microstructural Investigation of Ni/Au Ohmic Contact on p-Type GaN/
저자
Kim, J K
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
166.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Migration-Adsorption Mechanism of Metallic Impurities out of Chemically Amplified Photoresist onto Silicon-Based Substrates/
저자
Yang, C-C
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
167.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Misfit Dislocation Nucleation Study in p/p+ Silicon/
저자
Feichlinger, P
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
168.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Modeling and Characterization of Tungsten Chemical and Mechanical Polishing Processes/
저자
Zahasajja, J
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
169.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Modeling and Experimental Analysis of the Material Removal Rate in the Chemical Mechanical Planarization of Dielectric Films and Bare Silicon Wafers/
저자
Hocheng, H
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
170.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Modeling of Reverse Tone Etchback Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Polishing/
저자
Gan, T
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
171.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Modeling of Silicon Dioxide Chemical Vapor Deposition from Tetraethoxysilane and Ozone/
저자
Romet, S
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
172.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Negative Bias Dependence of Sulfur and Fluorine Incorporation in Diamond Films Etched by an SF6 Plasma/
저자
Teii, K
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
173.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Non-Ohmic Current-Voltage and Impedance Characteristics of Electroadsorptive Zn2SnO4/
저자
Yu, J H
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
174.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - One-Step Cleaning Solution to Replace the Conventional RCA Two-Step Cleaning Recipe for Pregate Oxide Cleaning/
저자
Pan, T M
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
175.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Operational Aspects of Chemical Mechanical Polishing. Polish Pad Profile Optimization/
저자
Chen, C-Y
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
176.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Oxidation Dependence on Defect Density in 3C-SiC Films/
저자
Fickhoff, M
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
177.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Oxide Dual Damascene Trench Etch Profile Control/
저자
Keil, D
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
178.
서명
Semiconductor, Devices, Materials, and Processing - Persistent Photoconductivity under Atmospheric Pressure in Uniformly Doped n-GaAs Prepared by Intermittent Injection of (CH3)3Ga/AsH3/
저자
Oyama, Y
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
179.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Phosphorus Doping and Sharp Profiles in Silicon and Silicon-Germanium Epitaxy by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition/
저자
Yang, M
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
180.
서명
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - p-Ohmic Contact Study for Intracavity Contacts in AlGaAs/GaAs Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers/
저자
Luo, B
발행처
Electrochemical Society
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
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