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Semiconductors I: Bulk - Temperature dependence of the energy and broadening parameter of the fundamental band gap of GaSb and Ga1 - xInxAsySb1 - y/GaSb (0.07 <= x <= 0.22, 0.05 <= y <= 0.19) quaternary alloys using infrared photoreflectance/
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| No. | 권호·제본정보 보기 | 소장처 | 소장사항 | 청구기호 | 구독 | 최근입수호 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 중앙도서관/3층 연속간행물(보존)/ | 530.5 P578B | ||||
| 2 | 중앙도서관/3층 연속간행물실/ | 530.5 P578B | 서명변경 | Vol.80 No.20 |
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