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American Institute of Physics
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1980
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2001
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2003
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2000
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1121.
서명
Atomic nitrogen doping in p-ZnSe molecular beam epitaxial growth with almost 100% activation ratio
저자
Kimura, K
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1122.
서명
Atomic origin of deep levels in p-type GaN: Theory
저자
Chadi, D. J
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1123.
서명
Atomic resolution x-ray hologram
저자
Xu, G
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1124.
서명
Atomic scale characterization of oxygen vacancy segregation at SrTiO3 grain boundaries/
저자
Klie, R F
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1125.
서명
Atomic-scale graded structure formed by sedimentation of substitutional atoms in a Bi-Sb alloy/
저자
Mashimo, Tsutomu
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1126.
서명
Atomic scale measurements of the interfacial electronic structure and chemistry of zirconium silicate gate dielectrics/
저자
Muller, David A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1127.
서명
Atomic-scale nature of the (3 x 3)-ordered GaAs(001):N surface prepared by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
저자
Gwo, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1128.
서명
Atomic-scale processes involved in long-term changes in the density of states distribution at the Si/SiO2 interface/
저자
Lenahan, P M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1129.
서명
Atomic scale simulation of defect production in irradiated 3C-SiC/
저자
Devanathan, R
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1130.
서명
Atomic-scale structure and electronic properties of GaN/GaAs superlattices
저자
Goldman, R. S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1131.
서명
Atomic-scale study of GaMnAs/GaAs layers/
저자
Grandidier, B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2000
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1132.
서명
Atomic scale study of the interaction between misfit dislocations at theGaAs/Si interface
저자
Vila, A
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1133.
서명
Atomic steps on a silicon (001) surface tilted toward an arbitrary direction
저자
Zhong, L
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1134.
서명
Atomic stress isobaric scaling for systems subjected to holonomic constraints
저자
Melchionna, S
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1135.
서명
Atomic structure of random and c-axis oriented YMnO~3 thin films deposited on Si and Y~2O~3/Si substrates/
저자
Kim, Y. T
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1136.
서명
Atomic structure of the CdTe(001) C(2x2) reconstructed surface: A grazing incidence x-ray diffraction study
저자
Veron, M. B
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1137.
서명
Atomic structures at a Si-nitride/Si(001) interface/
저자
Ikarashi, Nobuyuki
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2001
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1138.
서명
Atomistic analysis of defect evolution and transient enhanced diffusion in silicon/
저자
Aboy, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
2003
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1139.
서명
Atomistic calculations of defects in ZnGeP~2
저자
Zapol, P
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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원문제공마감년
1140.
서명
Atomistic calculations of ion implantation in Si: Point defect and transient enhanced diffusion phenomena
저자
Jaraiz, M
발행처
American Institute of Physics
원문제공시작년
1980
자료유형
저널기사
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